2010年6月8日上午8：00，山东大学晶体材料国家重点实验室的胡小波教授应邀为公司老师和研究生做了题为“Synchrotron radiation topographic observation of growth defects in two functional crystals”的学术报告。胡小波教授系统介绍了同步辐射光源的工作原理和光源特点，解释了同步辐射X射线形貌术的实验原理，详细阐述了X射线白光形貌术在研究两种功能材料（Nd: GdAl3(BO3)4 和SiC）缺陷中的重要作用。胡教授的研究小组利用数值模拟计算结合同步辐射图片分析的方法，对SiC晶体中出现的微管缺陷和基面弯曲现象进行了深入研究，解释了它们的微观物理机制。报告会结束后，胡教授回答了老师和同学提出的关于同步辐射方面的问题，并与公司师生进行了学术交流。

个人简历：

胡小波，山东大学晶体材料研究所教授，博士生导师。1997年毕业于南京大学物理系，获理学博士学位。1997年进入山东大学晶体材料国家重点实验室从事博士后研究，出站后留校工作。十五期间承担了国家863计划、国家自然科学基金、教育部科技创新工程重大项目及山东省科技发展计划等项目，目前课题组有生长3英寸以上SiC单晶的能力，处于国内领先水平。2004年入选教育部新世纪优秀人才支持计划。2009年获国防科技进步一等奖一项。至今发表论文130多篇，其中SCI收录100多篇。